摘 要：球形氮化硼（CY-HBN）（S-BN）是一种由氮化硼微米级单片组成的多晶球体。 因其优异的各向同性、比表面积小、导热率高（可达 300W/ mK）、介电常数低（3-4）、自润滑性等特点，广泛应用于块体氮化硼陶瓷制备、导热填料、润滑油添加剂、脱模剂等诸多领域，市场潜 力巨大。 目前国内该类市场 90%以上被国外企业垄断，国内只有零星企业在开发该类产品。

1 引言

随着 5G 高频技术的发展，电力电子设备的飞速 发展，各种设备加速向微型化、多功能化等方向靠拢，设备内部集成度也随之越来越高，单位体积产生 了更多的热量，造成设备内部热量积蓄严重，使得设 备的工作安全隐患增大、使用寿命降低，严重影响了 电力电子设备的稳定运行。为了保障器件正常运转， 必须将产生多余的热量散发出去，因此，如何实现有 限空间内的快速散热是现如今电力电子设备发展的 关键问题。

球形氮化硼(S-BN)（CY-HBN）是一种由氮化硼微米级单片组成的多品球体。与片状、管状、层状氮化硼相比,球形氮化硼不仅保持了氮化硼原有的优良性能，如离子杂质少、膨胀系数低、介电强度高,而且还具有颗粒流动性好、比表面积高等优良性能,能提高导热的各向异性性能,球形氮化硼颗粒表面积较小,可使氮化硼在聚合物内的添加量更高，进而获得更高的热导率性能。

球形氮化硼(S-BN)（CY-HBN）粉体因其自身各向同性、比表面积小、导热率高(可达 300Wmm·K)、介电常数低(3-4)、自润滑性等特点而用途广泛,可以用于块体氮化硼陶瓷制备、导热塑料用散热填料、电子封装所使用的热界面材料(TIM)、印刷电路板(PCB)的散热材料及固态 IED等诸多领域，所以，球形氮化硼(SBN)导热材料的市场潜力巨大。

2 国内外现状分析

原始 BN 粉末（CY-HBN）及国内市场上销售的 BN 通常为片状或不规则团聚体,表面积低,氧碳杂质含量高,结晶度差。球形氮化硼(S-BN)（CY-HBN）可以提供大的颗粒填充因子和特定区域,克服片层状BN 在聚合物中填充量小的缺点,实现高填充量、高导热,目前国内球形BN的形成机理尚不完善,制备工艺尚不成熟,国内多数利用喷雾造粒制备成球形，限制了球形氮化硼（CY-HBN）在国防军事及电子高科技等领域应用。

目前国内外球形氮化硼(S-BN)（CY-HBN）工艺主要有气相反应法:采用硼酸乙酯与氨气在氩气氛围中反应得到纳米级别球形 BN粉体;等离子反应: Jonathan 等人采用等离子体法，通过熔融氮化硼（CY-HBN）或者氮化硼前驱体方法,制得球形氮化硼（CY-HBN）颗粒,粒径在 1-1000u m之间;Yoshio Bando 等人提出了三甲氧基硼烷(B(OMe))与氨水化学气相沉积(CVD)反应合成球形氮化硼(BN)（CY-HBN）纳米粒子,粒径约为30nm;圣戈班陶瓷及塑料股份有限公司采用约0.5~5w%表面活性剂与约30m%氮化硼（CY-HBN）粉体做成氮化硼浆料，进行喷雾造粒:做成 100μ m左右的球形氮化硼（CY-HBN）颗粒。总之,S-BN 粉体纳米粒径的主要采用气相法合成，微米级别主要采用喷雾造粒法合成。